In protte brûkers moatte heard hawwe oer it produkt fan sputterende doel, mar it prinsipe fan sputterende doel moat relatyf ûnbekend wêze.No, de redaksje fanRich Special Material (RSM) dielt de magnetron sputterprinsipes fan sputterende doel.
In ortogonaal magnetysk fjild en elektrysk fjild wurde tafoege tusken de sputtered doelelektrode (katode) en de anode, it fereaske inerte gas (algemien Ar-gas) wurdt ynfolle yn 'e hege fakuümkeamer, de permaninte magneet foarmet in magnetysk fjild fan 250 ~ 350 Gauss op it oerflak fan 'e doelgegevens, en it ortogonale elektromagnetyske fjild wurdt foarme mei it elektryske fjild mei hege spanning.
Under it effekt fan elektrysk fjild wurdt Ar-gas ionisearre yn positive ioanen en elektroanen.In bepaalde negative hege spanning wurdt tafoege oan it doel.It effekt fan magnetysk fjild op elektroanen útstjoerd út de doelpoal en de kâns op ionisaasje fan wurkjen gas tanimme, it foarmjen fan in hege tichtheid plasma tichtby de kathode.Under it effekt fan Lorentz-krêft fersnelle Ar-ionen nei it doelflak en bombardearje it doelflak mei in heul hege snelheid. films te deponearje.
Magnetron sputtering wurdt oer it algemien ferdield yn twa soarten: sydsputtering en RF sputtering.It prinsipe fan sydrivier sputtering apparatuer is ienfâldich, en syn taryf is ek fluch by sputtering metaal.RF-sputtering wurdt in soad brûkt.Neist it sputterjen fan conductive materialen, kin it ek sputtere net-conductive materialen.Tagelyk fiert it ek reaktyf sputterjen om materialen te meitsjen fan oksides, nitriden, karbiden en oare ferbiningen.As de RF-frekwinsje wurdt ferhege, sil it mikrogolfplasma-sputtering wurde.No wurdt elektroanen cyclotron resonânsje (ECR) mikrogolf plasma sputtering faak brûkt.
Post tiid: mei-31-2022